1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE The IS41C16100-60T is a 16Mbit (1M x 16) high-speed CMOS Dynamic Random Access Memory (DRAM) manufactured by ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.).  

### **Key Specifications:**  
- **Organization:** 1M words × 16 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 60ns  
- **Refresh:** 4,096 cycles every 64ms (distributed or burst)  
- **Package:** 42-pin TSOP-II (400 mil width)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  

### **Features:**  
- Fully compatible with 3.3V systems  
- Fast page mode and static column mode operation  
- Automatic refresh (CAS-before-RAS refresh)  
- Low power consumption  
- TTL-compatible inputs and outputs  
- Single 3.3V power supply  

For detailed electrical characteristics and timing diagrams, refer to the official ISSI datasheet.