5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK PLUS LDO CONTROLLER AND 200mA LDO ON-BOARD The IRU3018 is a synchronous buck converter IC manufactured by IOR (Integrated Operational Research). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Input Voltage Range:** 4.5V to 21V  
- **Output Voltage Range:** 0.8V to 18V (adjustable via external resistors)  
- **Output Current:** Up to 3A  
- **Switching Frequency:** 300kHz (fixed)  
- **Efficiency:** Up to 95%  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The IRU3018 is a step-down DC-DC converter designed for high-efficiency power conversion.  
- It integrates a high-side MOSFET and a low-side MOSFET driver, reducing external component count.  
- Suitable for applications requiring stable voltage regulation with high current output.  

### **Features:**  
- **Integrated Power MOSFETs:** Reduces external components and board space.  
- **Adjustable Output Voltage:** Set via external resistor divider.  
- **Over-Current Protection (OCP):** Prevents damage from excessive load currents.  
- **Thermal Shutdown Protection:** Safeguards the IC from overheating.  
- **Soft-Start Function:** Reduces inrush current during startup.  
- **Wide Input Voltage Range:** Supports various power sources.  

For detailed application notes, refer to the official datasheet from IOR.

5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK PLUS LDO CONTROLLER AND 200mA LDO ON-BOARD The IRU3018 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **IRF (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.0V (max)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and ruggedness  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability  
- **Fully Characterized for Dynamic dv/dt**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.