IRS2183PBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER The IRS2183PBF is a high-speed power MOSFET and IGBT driver manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Output Configuration:** High-side and low-side  
- **Output Current (Source/Sink):** 2.0A / 2.0A  
- **Rise Time (Typical):** 80ns  
- **Fall Time (Typical):** 40ns  
- **Propagation Delay (Typical):** 120ns  
- **Input Supply Voltage (VDD):** 10V to 20V  
- **High-Side Voltage (VBS):** Up to 600V  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-Lead PDIP  

### **Descriptions:**  
- The IRS2183PBF is a high-voltage, high-speed power MOSFET and IGBT driver with independent high-side and low-side referenced output channels.  
- It is designed for applications requiring high noise immunity and fast switching performance.  
- The device features a floating high-side driver capable of driving N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration.  

### **Features:**  
- **Floating Channel Design:** Allows for bootstrap operation up to 600V.  
- **CMOS Schmitt-Triggered Inputs:** Ensures high noise immunity.  
- **Matched Propagation Delay:** Minimizes dead time in half-bridge applications.  
- **Undervoltage Lockout (UVLO):** For both high-side and low-side drivers.  
- **Cross-Conduction Prevention:** Internal dead-time control.  
- **Compatible with 3.3V, 5V, and 15V logic inputs.**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HIGH AND LOW SIDE DRIVER