IRLW610ATM

200V N-Channel Logic Level A-FET The IRLW610ATM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The IRLW610ATM is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, including switching regulators, motor control, and DC-DC converters. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for efficient power handling.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V N-Channel Logic Level A-FET