IRLW510ATM

100V N-Channel Logic Level A-FET The **IRLW510ATM** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Package:** TO-262 (TO-263AB compatible)  

### **Description:**  
The **IRLW510ATM** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling** for robust performance  
- **Fast switching speed** for efficient power conversion  
- **Avalanche energy rated** for reliability in harsh conditions  
- **TO-262 package** with good thermal dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to FAIRCHILD's official documentation.

100V N-Channel Logic Level A-FET