Power MOSFET The **IRLR230A** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  
### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLR230A  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The IRLR230A is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications  
- **Low Gate Charge** reduces drive requirements  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
This information is sourced from the official **International Rectifier (IR) datasheet** for the IRLR230A MOSFET.