20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRLMS1902TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRLMS1902TRPBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- **Mounting Type:** Surface Mount (SMD)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRLMS1902TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLMS1902TRPBF  

### **Description:**  
The IRLMS1902TRPBF is a N-channel HEXFET Power MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for use in power management circuits, DC-DC converters, and load switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Channel Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 4.5V  
- **R_DS(on) (Max):** 0.035Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.7V (Typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management Circuits  
- Load Switching  
- Battery-Powered Devices  

This MOSFET is designed for high efficiency and fast switching performance in compact, space-constrained applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for detailed specifications and application guidelines.)