-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The **IRLML6402TRPBF** is a P-channel HEXFET power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.4V  
- **Package:** SOT-23 (3-pin)  

### **Description & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage controllers (4.5V or lower).  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, load switching, battery management, and power management circuits.**  

(Source: Infineon/IRF Datasheet)