-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6402TR is a P-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(on)GS = -4.5V:** 85mΩ  
- **R_DS(on)GS = -2.5V:** 120mΩ  
- **Threshold Voltage (V_{GS(th)- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23}  

### **Description:**  
The IRLML6402TR is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for use in power management circuits, battery protection, and load switching.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High-Speed Switching** performance  
- **Low Gate Charge** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.