-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6402PBF is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRLML6402PBF is a P-Channel MOSFET designed for low voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET Power MOSFET family, optimized for efficiency and performance in power management circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET technology for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Optimized for portable and battery-powered applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, load switching, and battery protection circuits.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)