-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6402 is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the datasheet:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 95pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Package:**  
- **SOT-23 (3-pin)**  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low on-resistance and high efficiency  
- **Ultra Low Gate Charge** for fast switching  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with logic-level signals  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the official IR datasheet for the IRLML6402.