-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6401TR is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (Infineon Technologies)**  

### **Part Number:**  
- **IRLML6401TR**  

### **Description:**  
- **P-Channel HEXFET Power MOSFET**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -12V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (Ta = 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.065Ω (V_GS = -4.5V, I_D = -3.1A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 340pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Package:**  
- **SOT-23 (TO-236AB)** (3-pin surface-mount package)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated** for robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Load switching in portable devices  
- Power management in battery-operated systems  
- DC-DC converters  
- Motor control circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6401TR is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -12V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.065Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -2.5V:** 0.1Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 6.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 370pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 55pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Package:**  
- **Type:** SOT-23 (TO-236AB)  
- **Pin Count:** 3  

### **Descriptions:**  
- A P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Optimized for power management in portable electronics, battery protection, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The **IRLML6401TR** is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**, not INTERSIL.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.065Ω  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = -2.5V:** 0.1Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.4V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low on-resistance and fast switching.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized:** Guaranteed performance across temperature ranges.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power management, load switching, and battery protection circuits.  

*Note: The manufacturer is **International Rectifier (IR)**, not INTERSIL.*