-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6401PBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -12V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 10ns  

### **Package:**  
- **SOT-23 (TO-236AB)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Logic-Level Gate Drive** compatible with 3.3V or 5V microcontrollers  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This MOSFET is commonly used in **battery-powered applications, load switching, DC-DC converters, and power management circuits**.  

(Note: All values are based on the manufacturer's datasheet.)