-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6401TR is a P-Channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -14A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±8V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(on)GS = -4.5V:** 0.065Ω  
- **R_DS(on)GS = -2.5V:** 0.1Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.7V to -1.4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 7.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 95pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-23 (TO-236AB)**  

### **Description:**  
The IRLML6401TR is a P-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for battery-powered circuits, load switching, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for low on-resistance and high efficiency  
- **Ultra-Low Gate Charge** for fast switching  
- **Fully Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 2.5V and 3.3V logic)  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

-12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6401 TR is a P-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ @ V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the provided knowledge base.