-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6302 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Descriptions:**  
- The IRLML6302 is a **P-channel** MOSFET designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- It is part of Infineon’s **OptiMOS™ family**, optimized for **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **battery management, load switching, DC-DC converters, and power management** in portable devices.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (at 25°C)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for high-efficiency applications.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability.  
- **Logic-level gate drive** (compatible with 5V or lower control signals).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Available in SOT-23 package** for space-constrained designs.  

This MOSFET is commonly used in **battery-powered devices, power switches, and motor control circuits**.  

Would you like additional details on any specific parameter?

-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML6302 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLML6302  

### **Description:**  
The IRLML6302 is a P-channel HEXFET® Power MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for use in power management circuits, battery protection, and load switching.

### **Key Features:**  
- **P-Channel MOSFET**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **R_DS(on) (Max):** 85mΩ @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 8.5nC (typical)  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **SOT-23 (TO-236AB)** (3-pin surface-mount package)  

### **Applications:**  
- Battery protection circuits  
- Power management in portable devices  
- Load switching  
- DC-DC converters  

This information is sourced from Infineon’s official datasheet for the IRLML6302.