-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML5203TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IRF). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IRF)  
- **Part Number:** IRLML5203TRPBF  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 15A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 45mΩ @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 8.0nC  
- **Input Capacitance (Ciss):** 420pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- The IRLML5203TRPBF is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for fast switching performance with low gate charge and low on-resistance.  
- Suitable for battery-powered applications, power management, and load switching.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhanced efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **SOT-23 Package:** Compact footprint for space-constrained designs.  
This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.