-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML5203TR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRLML5203TR  

### **Description:**  
The IRLML5203TR is a P-Channel HEXFET® Power MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is optimized for use in battery-powered circuits, load switching, and power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 85mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low threshold voltage for logic-level drive  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability in a compact package  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Available in a SOT-23 surface-mount package  

### **Applications:**  
- Battery-powered circuits  
- DC-DC converters  
- Load switching  
- Power management in portable devices  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.