-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML5103 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  
### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRLML5103  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 14A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.3W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 50mΩ (at VGS = 4.5V), 36mΩ (at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.7V to 1.5V  
### **Switching Characteristics:**  
- **Total Gate Charge (Qg):** 5.4nC (at VDS = 15V, VGS = 4.5V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 270pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 65pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Power Management Circuits  
- Load Switching  
- Motor Control  
- Battery Protection Circuits  
This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official documentation.