30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML2803 is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5.6A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.8W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.65V (min), 1.35V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 270pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Package:**  
- **SOT-23 (Small Outline Transistor)**  

### **Description:**  
The IRLML2803 is a **N-channel** MOSFET designed for **low-voltage, high-speed switching applications**. It is optimized for **battery-powered circuits, DC-DC converters, and load switching** due to its low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Low Threshold Voltage** for compatibility with logic-level signals  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.