20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML2502TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  
- **Part Number:** IRLML2502TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.65V (min) - 1.35V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 7.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 140pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Descriptions:**  
- The IRLML2502TR is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for power management in portable electronics, battery-powered systems, and DC-DC converters.  
- The SOT-23 package makes it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Low gate charge for fast switching and improved efficiency.  
- High current handling capability in a compact package.  
- Logic-level gate drive compatibility (4.5V V_GS).  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.