20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package The IRLML2502PBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **R_DS(ON) (Max):**  
  - 45mΩ at V_GS = 4.5V  
  - 55mΩ at V_GS = 2.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.45V (Min) – 1.35V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 45pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 9ns  
- **Rise Time (t_r):** 19ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 32ns  
- **Fall Time (t_f):** 9ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-23 (TO-236AB)**  

### **Description:**  
The IRLML2502PBF is a N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and fast switching speeds, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Low R_DS(ON)** for improved efficiency  
- **Fully Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for 2.5V and 4.5V Gate Drive**  

This information is based on the manufacturer's datasheet.