20V Single N-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package The IRLML2502GTRPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 45mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 0.5V (min), 1.35V (typ), 2.3V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 8.5nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRLML2502GTRPBF is a small-signal MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications. It is part of Infineon's HEXFET family, optimized for fast switching and low power loss.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven directly by 5V or 3.3V logic.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **SOT-23 Package:** Compact and space-saving.  

This MOSFET is commonly used in power management, DC-DC converters, load switching, and battery-powered applications.