N-CHANNEL MOSFET The **IRLM210A** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (Fairchild Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 20pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
- The **IRLM210A** is a **high-voltage N-Channel MOSFET** designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for **efficient power management**.  
- The **TO-252 (DPAK) package** provides good thermal performance for surface-mount applications.  
### **Features:**  
- **100V Drain-Source Voltage**  
- **Low On-Resistance (1.2Ω max)**  
- **Fast Switching Characteristics**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.