N-CHANNEL MOSFET The **IRLM210A** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (Fairchild Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The **IRLM210A** is a **high-voltage N-Channel MOSFET** designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- It features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for **efficient power management**.  
- The **TO-252 (DPAK) package** provides good thermal performance for surface-mount applications.  

### **Features:**  
- **100V Drain-Source Voltage**  
- **Low On-Resistance (1.2Ω max)**  
- **Fast Switching Characteristics**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL MOSFET The IRLM210A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRLM210A  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRLM210A is a compact, high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It is optimized for low gate drive requirements and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other low-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-252 (DPAK) Package** (Surface-mount)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.