IRLM110A

N-CHANNEL MOSFET The IRLM110A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRLM110A is a low-threshold, N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features a compact TO-252 (DPAK) package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables compatibility with low-voltage logic circuits.  
- **Fast Switching Speeds:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL MOSFET