N-CHANNEL MOSFET The **IRLM110A** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The **IRLM110A** is designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** performance for high-frequency applications.  
- **High current handling** capability.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from ON Semiconductor (formerly Fairchild).

N-CHANNEL MOSFET

N-CHANNEL MOSFET The IRLM110A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRLM110A is a low-threshold, N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features a compact TO-252 (DPAK) package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage:** Enables compatibility with low-voltage logic circuits.  
- **Fast Switching Speeds:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-CHANNEL MOSFET