30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL3303TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLL3303TR is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Surface-Mount Package (D-Pak):** Suitable for automated PCB assembly.  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL3303TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IRF)  
- **Part Number:** IRLL3303TR  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRLL3303TR is a HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate drive power requirements and fast switching speeds.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Improved dv/dt capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.