55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL2705TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLL2705TR is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Surface-mount (SMD) package (TO-262)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product specifications.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL2705TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 17A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.11Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min) - 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typ)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Package:** SOT-223 (Surface Mount)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-speed power switching.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness under inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic-level signals (5V).  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.