HEXFET? Power MOSFET The IRLL110PBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 3.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRLL110PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package, suitable for surface-mount applications.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low gate charge and high-speed switching.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves ruggedness in inductive load switching.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed application-specific performance, refer to the official IR datasheet.