55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL024NQ is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRLL024NQ  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 7.5nC (typical at V_DS = 44V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRLL024NQ is an N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, fast switching, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official Infineon datasheet.