55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRLL014N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 1.4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 5.6A  
- **Power Dissipation (PD):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (typ), 3V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 15pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 10ns (typ)  
### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  
### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
### **Applications:**  
- Switching regulators  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.