60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLIZ34G is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.034Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRLIZ34G is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** for reliable operation in high-speed switching circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.