55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 Full-Pak package The **IRLIB4343PBF** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRLIB4343PBF  

### **Type:**  
Power MOSFET (N-Channel)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (@ 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (@ 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.1V (min), 4V (max)  

### **Package:**  
TO-263-7 (D²PAK-7)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in harsh conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Automotive systems  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the **IRLIB4343PBF**.