Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) The IRLI640 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRLI640 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications in power supplies, motor control, and other high-current circuits. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for efficient power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in inductive loads  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance with a heatsink  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by lower gate voltages (though not fully specified as logic-level)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and standard specifications. For precise application details, always refer to the official documentation.