200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI630G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRLI630G is a **N-channel power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance and fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management circuits**.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® technology** for low conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Fully characterized for dynamic performance** in high-frequency circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.