100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The **IRLI540N** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable switching behavior.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals (but optimized for 10V).  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **IRLI540N** MOSFET.