100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI540G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.077Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLI540G is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and rugged avalanche characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **Dynamic dv/dt Rating** for improved reliability  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is housed in a **TO-220AB package**, ensuring good thermal performance and ease of mounting.  

(Source: International Rectifier IRLI540G Datasheet)