100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI530GPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.22Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 7A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 16nC (typical at V_DS = 50V, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLI530GPBF is an N-channel HEXFET power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.