100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI530G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRLI530G  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** for reliable operation in high-speed switching circuits.  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Switching regulators  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IR documentation.