100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI520NPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLI520NPBF is a N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Ensures low gate charge and high efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides ruggedness under inductive loads.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-220AB Package:** Offers good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.