100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI520N is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**
The IRLI520N is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance.

### **Features:**
- Advanced HEXFET technology for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.