HEXFET Power MOSFET The IRLI3705 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 47ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 16ns  

### **Description:**  
The IRLI3705 is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Guarantees reliable operation in high-frequency circuits.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For detailed specifications, refer to the official **IRLI3705 datasheet** from International Rectifier (Infineon Technologies).