IRLI3215

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220FullPAK package The IRLI3215 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.034Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLI3215 is a **HEXFET® Power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Provides reliable operation in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The device is available in a **TO-262 (D2PAK)** package for efficient thermal management.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for precise specifications.)

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220FullPAK package