100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package **IRLI2910PBF Manufacturer: IR (International Rectifier)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 29mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 36ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRLI2910PBF is a high-performance N-Channel HEXFET® Power MOSFET from International Rectifier (IR). It is designed for high-efficiency power switching applications, offering low on-resistance and fast switching speeds.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High current capability** for power management solutions.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in demanding environments.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  
- **Lead-free and RoHS compliant.**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.