30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRLI2203NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 116A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 464A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):**  
  - 1.7mΩ @ V_GS = 10V  
  - 2.2mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.35V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (Typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLI2203NPBF is a HEXFET N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet.