**Part Number:** IRLHS6376TR2PBF  

**Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET (N-Channel)  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 120A (continuous)  
- **RDS(ON) (Max):** 1.6 mΩ @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (Min) – 2.0V (Max)  
- **Gate Charge (Qg):** 110nC (Typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

**Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

**Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high performance.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  

(Data sourced from International Rectifier's official documentation.)