IRLH5030TRPBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package **Manufacturer:** IR (International Rectifier)  

**Part Number:** IRLH5030TRPBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Current Handling:** Optimized for high-power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRLH5030TRPBF.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package