HEXFET Power MOSFET The IRLD110PBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRLD110PBF  

### **Description:**  
- N-Channel Power MOSFET  
- Designed for high-efficiency switching applications  
- Low gate charge and low on-resistance  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 13.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 6.5nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Switching Power Supplies  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.