IRLD024

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRLD024 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**
The IRLD024 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management systems.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package