40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 5-Lead package The **IRLBD59N04E** is an N-channel MOSFET manufactured by **Infineon Technologies** (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 59A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 236A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.9mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic signals (with reduced R_DS(on) at higher V_GS).  

For detailed electrical characteristics and thermal performance, refer to the official **Infineon IRLBD59N04E datasheet**.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 5-Lead package