30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package The IRLBA3803P is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.8mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRLBA3803P is a **N-channel HEXFET® Power MOSFET** designed for high-current, low-voltage applications. It is optimized for **high efficiency and fast switching performance** in power management circuits, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance and high current handling.  
- **Ultra-Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in demanding environments.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** (suitable for linear applications).  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and power supply applications** where high power density and reliability are required.  

For detailed datasheet information, refer to the official IR documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package