30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRLB3813 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 520pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 39ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-current applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance in switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management**  
- **Switching Power Supplies**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.